Samsung ha anunciado la primera producción de chips de ultra-alta velocidad de 4 GB, que ofrecen aproximadamente el doble de rendimiento que los procesadores que usa actualmente. La surocreana está utilizando tecnología de 20 nanómetros y promete un ahorro de batería de un 20 por ciento.
El nuevo chip 4GB LPDDR3 móvil DRAM permite niveles de rendimiento comparables a la DRAM estándar utilizados en ordenadores personales, y por lo tanto se adapta mejor a las exigencias multimedia de los dispositivos móviles de última generación, como los 'smartphones' o las 'tablets'.
'El chip proporciona una memoria para móviles más eficiente, de última generación y con una capacidad de datos muy grande, lo que permite a los fabricantes de equipos presentar diseños más innovadores en el mercado', aseguró el vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memoria de Samsung Electronics, Young-Hyun Jun.
'Nuestra clase de chips de 20nm y 4 Gb móvil DRAM es otro ejemplo de nuestra capacidad de ofrecer memoria bien diferenciada y de alto rendimiento, de alta densidad para los clientes en el momento oportuno', concluyó Jun.
El chip puede transmitir datos a velocidades de hasta 2.133 Mbps, más del doble de rendimiento de la memoria anterior estándar de móvil DRAM (LPDDR2). En comparación con la clase de chips 30nm LPDDR3 DRAM, el nuevo dispositivo genera más de una mejora del 30 por ciento en el rendimiento y el 20 por ciento de ahorro en el consumo de energía.
El poco grosor del chip le permite adaptarse a los terminales sin dificultades y sin ocupar mucho espacio. Las baterías acostumbran a ser cada vez más grandes y por ellos un chip fino contribuye a que la estructura del teléfono no se agrande demasiado. Samsung planea aumentar la producción de su DRAM móvil de clase 20nm a finales de este año, consolidando su competitividad como un líder de la industria de memoria.
El mercado en el que Samsung pretenden enmarcar esta novedad es cada vez más destacado ya que según la firma de investigación, Gartner, se prevé que el mercado de DRAM crezca un 13 por ciento año tras año para llegar a los 29,6 millones de dólares (23 millones de euros) en EE.UU. en 2013. De ahí la importancia que Samsung le da a este tipo de chips, que pueden suponer una importante mejora en el sector.
'El chip proporciona una memoria para móviles más eficiente, de última generación y con una capacidad de datos muy grande, lo que permite a los fabricantes de equipos presentar diseños más innovadores en el mercado', aseguró el vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memoria de Samsung Electronics, Young-Hyun Jun.
'Nuestra clase de chips de 20nm y 4 Gb móvil DRAM es otro ejemplo de nuestra capacidad de ofrecer memoria bien diferenciada y de alto rendimiento, de alta densidad para los clientes en el momento oportuno', concluyó Jun.
El chip puede transmitir datos a velocidades de hasta 2.133 Mbps, más del doble de rendimiento de la memoria anterior estándar de móvil DRAM (LPDDR2). En comparación con la clase de chips 30nm LPDDR3 DRAM, el nuevo dispositivo genera más de una mejora del 30 por ciento en el rendimiento y el 20 por ciento de ahorro en el consumo de energía.
El poco grosor del chip le permite adaptarse a los terminales sin dificultades y sin ocupar mucho espacio. Las baterías acostumbran a ser cada vez más grandes y por ellos un chip fino contribuye a que la estructura del teléfono no se agrande demasiado. Samsung planea aumentar la producción de su DRAM móvil de clase 20nm a finales de este año, consolidando su competitividad como un líder de la industria de memoria.
El mercado en el que Samsung pretenden enmarcar esta novedad es cada vez más destacado ya que según la firma de investigación, Gartner, se prevé que el mercado de DRAM crezca un 13 por ciento año tras año para llegar a los 29,6 millones de dólares (23 millones de euros) en EE.UU. en 2013. De ahí la importancia que Samsung le da a este tipo de chips, que pueden suponer una importante mejora en el sector.
